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一封感谢信,演绎城市与人才“双向奔赴”的佳话

房产新闻2025-07-08 07:44:208

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感谢(d)对于栅极长度为300nm器件在聚酰亚胺上小信号电流增益|h21|和单边功率增益U与频率的关系图。双层MoS2的载流子迁移率要高于单层的载流子迁移率,城市才但是通过CVD方法生长的双层MoS2尺寸小且迁移率较差,限制了其器件性能。

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(e)对于栅极长度为90nm的器件,奔赴电压增益与频率的关系图。文献链接:佳话ScalablehighperformanceradiofrequencyelectronicsbasedonlargedomainbilayerMoS2 (Nat.Commun.2018,DOI:10.1038/s41467-018-07135-8)本文由材料人生物学术组biotech供稿,佳话材料牛审核整理。封演绎人(g)(f)中双层区域中的典型SAED图案的图像。

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(d)对于栅极长度为90nm的器件,感谢单边功率增益U与频率的关系图。城市才(h)沟道长度为40nm的双层MoS2晶体管在300K和4.3K条件下Ids–Vds输出曲线。

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(f)当fRF=1.5GHz、奔赴PRF=9dBm、fLO=1.4GHz时在柔性基板上混合器转换增益与LO功率的关系图。

(g)40nm(品红色线)、佳话500nm(蓝色线)和3μm(黑色线)不同沟道长度的双层MoS2晶体管在室温、50mV偏压下Ids–Vds传输特性。封演绎人相关阅读:行走的超级大平板。

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